碳化硅（SiC）電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點。而比亞迪早已開始布局，如今已是國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的半導(dǎo)體公司。

據(jù)了解，在SiC器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體已實現(xiàn)SiC模塊在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)模化應(yīng)用，其自主研發(fā)制造的高性能碳化硅功率模塊，是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn)在電機驅(qū)動控制器中大批量裝車的SiC三相全橋模塊。

比亞迪半導(dǎo)體碳化硅功率模塊是一款三相全橋拓撲結(jié)構(gòu)的灌封全碳化硅功率模塊，主要應(yīng)用于新能源汽車電機驅(qū)動控制器，主要擁有以下特點：

采用納米銀燒結(jié)工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)軟釬焊料焊接工藝，提升了高溫可靠性，充分發(fā)揮SiC高工作結(jié)溫性能。相比傳統(tǒng)焊接產(chǎn)品，可靠性壽命提升5倍以上，連接層熱阻降低95%；

SiC芯片正面互聯(lián)采用先進的Cu clip bonding工藝，提高了SiC模塊的過流能力，增強了散熱性能，降低了芯片的溫升；

采用超聲波焊接工藝連接絕緣基板金屬塊與外部電極，減小模塊雜散電感，并增強過流及散熱能力；

采用氮化硅AMB（活性金屬釬焊）陶瓷覆銅基板，大幅降低熱阻，良好的散熱提升了芯片使用壽命；

此外，比亞迪半導(dǎo)體SiC模塊可滿足20KHz以上的使用頻率，使車主暢想靜音駕駛。

SiC功率模塊亮點頻顯，不難發(fā)現(xiàn)，其超低的開關(guān)及導(dǎo)通損耗、超高的工作結(jié)溫等特性，在實現(xiàn)系統(tǒng)高效率和高頻化方面起到了決定性作用。SiC功率模塊不僅僅帶來電控效率、續(xù)航能力的提升，同時使功率密度增加至少一倍，輸出功率可達250KW以上，且同功率水平下，模塊體積較IGBT縮小一半以上。

比亞迪表示，該該碳化硅功率模塊已于2020年搭載比亞迪車型“漢EV”上市，大幅提升了電驅(qū)的性能表現(xiàn)，整車實現(xiàn)百公里加速3.9s。