有消息稱，因?yàn)榻?jīng)費(fèi)不足等原因，深圳第三代半導(dǎo)體研究院決定解散。

網(wǎng)上流傳出一份疑似深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)布的《解散通告》，其中稱該研究院決定自2021年8月31日起全面停止經(jīng)營(yíng)。

2018年3月31日，在深圳市委市政府支持下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、南方科技大學(xué)主要參與共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)。

按照官方說(shuō)法，該研究院面向2030國(guó)家第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略需求，圍繞建設(shè)世界科技強(qiáng)國(guó)的戰(zhàn)略目標(biāo)，依托第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟，通過(guò)資源整合、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)、錯(cuò)位發(fā)展，創(chuàng)新體制機(jī)制打造的開(kāi)放式、國(guó)際化、全鏈條的第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新平臺(tái)。

研究院立足深圳、覆蓋粵港澳大灣區(qū)、面向全國(guó)，力爭(zhēng)成為國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，推動(dòng)中國(guó)第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行列。

截至目前，深圳市第三代半導(dǎo)體研究院官方渠道還沒(méi)有任何消息公布，官網(wǎng)也能正常打開(kāi)。

第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅（Si）、鍺（Ge）元素半導(dǎo)體，是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽(yáng)能電池的最基礎(chǔ)材料。

第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP），以及三元化合物半導(dǎo)體材料，如鋁砷化鎵（GaAsAl）、磷砷化鎵（GaAsP）等。

還有一些固溶體半導(dǎo)體材料，如鍺硅（Ge-Si）、砷化鎵-磷化鎵（GaAs-GaP）等；玻璃半導(dǎo)體（又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體）材料，如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體等；有機(jī)半導(dǎo)體材料，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

它們主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。

第三代半導(dǎo)體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。

它們具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度、更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

從目前第三代半導(dǎo)體材料及器件的研究來(lái)看，較為成熟的第三代半導(dǎo)體材料是SiC、GaN，而ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導(dǎo)體材料的研究尚屬起步階段。

當(dāng)前我國(guó)發(fā)展第三代半導(dǎo)體及其器件的最大瓶頸是原材料。我國(guó) SiC 和 GaN 材料的制備與質(zhì)量等問(wèn)題亟待破解。

目前我國(guó)對(duì) SiC 材料制備的設(shè)備尚為空缺，大多數(shù)設(shè)備還依賴進(jìn)口。國(guó)內(nèi)開(kāi)展 SiC、GaN 材料和器件方面的研究工作起步比較晚，與國(guó)外相比水平還較低，缺少原始創(chuàng)新的專利。

因此，發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料和器件的步伐有待加速。