近年來，隨著M.2接口的全面普及和深化，尺寸更小、重量更輕、性能更強的M.2固態硬盤成為了最為主流的選擇。

實際上，在M.2接口內部，根據傳輸協議的不同和接口設計的差異，還存在著NVMe和SATA兩種規格的固態硬盤，二者在性能和體驗上近乎有著天壤之別。

近日，我們收到了具有悠久歷史的臺系存儲大廠宇瞻，送來的一款基于PCIe3.0協議的NVMe固態硬盤宇瞻AS2280P4。

宇瞻AS2280P4 內外結構剖析

從命名上來看，AS2280P4，其中2280無疑指的是此款產品的設計標準，即22mm寬，以及80mm長。

此外，此款產品在外觀方面，依舊采用單面PCB封裝工藝，在產品正面集成了主要的核心組件，諸如主控芯片、閃存顆粒，掀開覆蓋在表面的塑料貼紙，我們可以看到此款產品并沒有DRAM設計。

因而可以推測，宇瞻AS2280P4大概率采用了DRAM-LESS無外置緩存設計思路。

再看內部核心方面，主控上，采用群聯PS5013-E13主控，這是一款問世已久的經典主控芯片。

支持PCIe Gen3 X4接口，支持NVMe1.3協議標準，同時基于Host Memory Buffer (HMB) 機制，能夠適配于無外置緩存方案。

此外，它支持第四代群聯LDPC ECC技術以及RAID ECC，端到端數據保護等一系列創新功能，是一款完整度和功能性十足的主控芯片。

在顆粒方面，根據編號YMN08TE1B1HC3B進行查詢，即可知曉，歸屬于長江存儲64層3D NAND TLC閃存顆粒，單顆容量128GB，共四顆，組成512GB總容量。

宇瞻AS2280P4 性能測試

簡單的內外結構剖析后，進入實測環節，我們將通過連續性能、4K隨機以及slc緩存三個維度進行性能考量。

在進行測試之前，我們通過CrystalDiskInfo軟件，進行產品識別，和掌握相關產品參數。

通過CrystalDiskInfo，我們可以看到關于宇瞻AS2280P4的相關參數細節，主機通電次數，支持的相關協議功能，普通用戶在購買產品的時候，也可以通過此軟件簡單驗證產品新舊程度和相關協議標準。

在連續性能測試中，我們采用CrystalDiskMark和Txbench進行相互驗證測試。

CrystalDiskMark

Txbench

通過CrystalDiskMark和Txbench雙重測試下，可以看到宇瞻AS2280P4最大連續讀取速度大致保持在2500MB/s左右，而最大連續寫入速度則達到了1900MB/s。

這樣的性能對于一款無外置緩存的固態硬盤而言，算是相當不錯的成績，能夠滿足攢機用戶、輕量化游戲用戶、辦公用戶等多維應用場景的輕負載存儲需求。

4K隨機性能測試，相較于連續性能，能夠更好展示固態硬盤的實際效能，具有一定的參考價值。

在4K隨機測試中，我們采用ASSSD進行測試。

在AS SSD測試中，DRAM-LESS的宇瞻AS2280P4在此項表現中算得上中規中矩，4k隨機讀取保持在273k iops，而4k隨機寫入則保持在435k iops。

除了絕對性能的測試，長久穩定的存儲輸出，對于用戶而言，可能是更為重要的一環。

下面將通過HD Tune進行穩定性能測試，具體測試方法，借助HD Tune內部的基準測試，進行全盤的數據寫入，并記錄寫入過程中的性能變化，以驗證在長久的寫入中，宇瞻AS2280P4的性能表現。

通過上圖的性能曲線圖，我們可以看到，從0-488G（全盤）寫入測試范圍內，宇瞻AS2280P4的寫入曲線一直保持在一個較為恒定的范圍內波動，并沒有出現顯著的性能跳躍。

理論上，說明了宇瞻AS2280P4采用了全盤SLC緩存機制，讓性能始終穩定在一個高階數值上；回歸到實際，則表明宇瞻AS2280P4能夠在實際應用中，為用戶始終提供一個穩定高效的存儲性能，即使長久應用，也不會出現顯著的性能偏差。

值得一提的是，為了讓用戶更加安心、放心的使用宇瞻AS2280P4，官方還提供了三年換新、五年有限質保以及個人送保等一系列售后措施，讓用戶買的放心、用的安心。

宇瞻AS2280P4適用人群

從內部核心到性能表現，宇瞻AS2280P4這款DRAM-LESS的硬性素質還是相當不錯的，能夠滿足攢機用戶去舊換新、商務人士日常辦公以及輕量化電競游戲，等一系列較輕負載，多樣化場景的存儲任務。

結合宇瞻，數十年在存儲產業鏈的經驗積累和品牌塑造，如果近期有硬件換新、購買高性能SSD產品的需求，這款宇瞻AS2280P4值得入手。