近期路透社曾報(bào)道，韓國存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士在江蘇無錫工廠引進(jìn)EUV光刻機(jī)的計(jì)劃可能面臨擱淺，原因是美國方面反對(duì)EUV光刻機(jī)這類先進(jìn)設(shè)備進(jìn)入中國大陸。

這一問題之前在SK海力士內(nèi)部引起了相當(dāng)程度的關(guān)注，以至于CEO李錫熙在7月訪問華盛頓期間向美國官員提出了相關(guān)關(guān)切，不過短期來看阻力顯然不小。

李錫熙在11月22日的一場活動(dòng)上表示，（基于EUV的）第四代DRAM芯片從7月開始在韓國生產(chǎn)，要在中國工廠應(yīng)用相同的技術(shù)還有很長的路要走，將在與相關(guān)方面合作的同時(shí)明智地應(yīng)對(duì)此事。

此前SK海力士宣布，將在未來5年內(nèi)斥資約43億美元，持續(xù)從阿斯麥采購EUV光刻機(jī)。

其在韓國本土的工廠已經(jīng)引進(jìn)EUV光刻技術(shù)，并于去年7月開始成功量產(chǎn)基于EUV的10nm第四代DRAM芯片；計(jì)劃引入無錫工廠的EUV光刻機(jī)也將用于生產(chǎn)10nm DRAM芯片。

據(jù)悉，SK海力士在無錫工廠所生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存芯片占其產(chǎn)量的約一半，占全球總產(chǎn)量的15%。

因此，設(shè)備升級(jí)受阻或?qū)?duì)市場產(chǎn)生重大影響，也將使SK海力士在與三星、美光的競爭中處于劣勢(shì)。