在新一代半導體材料中，日本公司又一次走在前列——日前Novel Crystal Technology全球首次量產(chǎn)了100mm（4英寸）的“氧化鎵”晶圓。

據(jù)日本媒體報道，Novel Crystal Technology公司由日本電子零部件企業(yè)田村制作所和AGC等出資成立，主要研發(fā)、生產(chǎn)新一代半導體技術(shù)。

該公司日前量產(chǎn)了以新一代功率半導體材料“氧化鎵”制成的100mm晶圓，這還是全球首次。

這次量產(chǎn)的新一代晶圓可以使用原有100mm晶圓的設(shè)備制造新一代產(chǎn)品，有效保護了企業(yè)的投資，預計2021年內(nèi)開始供應晶圓。

據(jù)介紹，氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，也是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。

據(jù)市場調(diào)查公司富士經(jīng)濟于2019年6月5日公布的Wide Gap 功率半導體元件的全球市場預測來看，2030年氧化鎵功率元件的市場規(guī)模將會達到1542億日元（約人民幣92.76億元），這個市場規(guī)模要比氮化鎵功率元件的規(guī)模（1085億日元，約人民幣65.1億元）還要大。