在三星、SK海力士開(kāi)始啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片之后，美光現(xiàn)在也要加入了，跟ASML談判采購(gòu)EUV光刻機(jī)，2024年生產(chǎn)新的EUV內(nèi)存芯片。

美光科技總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra)在日前的財(cái)報(bào)會(huì)上表示，美光一直在關(guān)注EUV工藝進(jìn)展，實(shí)際上之前也參與了EUV評(píng)估，一旦觀察到EUV平臺(tái)及生態(tài)系統(tǒng)成熟，美光也會(huì)在產(chǎn)品路線圖中插入EUV光刻技術(shù)。

現(xiàn)在美光已將2021財(cái)年的治本指出略微提升到95億美元，已經(jīng)開(kāi)始跟ASML公司談判購(gòu)買EUV光刻機(jī)，不過(guò)現(xiàn)在還沒(méi)有公布細(xì)節(jié)，EUV現(xiàn)在供應(yīng)緊張，臺(tái)積電、三星采購(gòu)的較多，美光還要等等。

根據(jù)美光的計(jì)劃，EUV光刻工藝要到2024年才會(huì)導(dǎo)入，首發(fā)用于1-Gama工藝的內(nèi)存，后面還會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)展到更下一代的1-Delta工藝內(nèi)存芯片中。

美光日前發(fā)布了2021財(cái)年Q3財(cái)報(bào)，截至6月3的季度中公司營(yíng)收74.2億美元，同比增長(zhǎng)19%，凈利潤(rùn)17.4億美元，相比去年同期的8億美元大漲116%。