在代工市場上，唯一可以和臺積電抗衡的，就是三星了(Intel高調(diào)殺入但還需進一步觀察)，雙方在先進工藝進展上也是互不相讓，7nm、5nm、3nm、2nm你追我趕。

在最新舉辦的三星代工論壇2021大會上，三星就披露了最新的工藝進展和路線圖。

FinFET晶體管結(jié)構(gòu)潛力幾乎已經(jīng)被挖掘殆盡，三星的下一步是GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產(chǎn)，3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產(chǎn)。

對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。

2nm工藝沒有出現(xiàn)在公開路線圖上，但是三星代工市場策略高級副總裁MoonSoo Kang透露，2GAP工藝會在2025年量產(chǎn)。

這是三星第一次透露2nm工藝的規(guī)劃，但三星也警告說，新工藝進度還要看客戶的規(guī)劃和部署，所以我們推測，2026年可能是見到三星2nm工藝產(chǎn)品上市的更合理時間。

臺積電方面的2nm工藝有望在2024年量產(chǎn)，領(lǐng)先三星一年左右。