目前半導體工藝已經發展到了5nm，明年三星臺積電都在搶3nm工藝首發，之后還會有2nm工藝，再之后的1nm節點又是個分水嶺了，需要全新的半導體技術。

IBM、三星等公司上半年公布了全球首個2nm工藝芯片，現在雙方又在IEDM 2021會議上宣布了最新的合作成果，推出了VTFET（垂直傳輸場效應晶體管）技術，它與傳統晶體管的電流水平方向傳輸不同，是垂直方向傳輸的，有望進軍1nm及以下工藝。

根據IBM及三星的說法，VTFET技術有2個優點，一個是可以繞過現在技術的諸多性能限制，進一步擴展摩爾定律，另一個就是性能大幅提升，采用VTFET技術的芯片速度可提升兩倍，或者降低85%的功耗。

這個技術要是量產了，那么芯片的能效比是大幅提升的，智能手機充電一次可使用兩周，不過三星及IBM依然沒有公布VTFET工藝的量產時間，所以還是要等——反正革命性的電池及革命性的芯片技術實現一個就能讓手機續航質變。