近日，第三屆硬核中國芯領袖峰會暨汽車芯片技術創新與應用論壇在線上舉行，比亞迪半導體功率半導體產品中心高級市場經理孫允帥，出席本次線上云峰會并發表主題為《車規IGBT技術的最新進展》演講。

孫允帥表示，2018年，比亞迪半導體發布車規級領域具有標桿性意義的IGBT4.0技術，IGBT4.0芯片通過精細化平面柵設計，使得同等工況下，綜合損耗較市場主流產品降低了約20%，整車電耗顯著降低。

他透露，目前比亞迪半導體基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技術已實現量產，IGBT5.0（Trecnch FS IGBT）采用了微溝槽結構及復合場中止技術，實現了超低的導通損耗和開關損耗，并且由于經過極致調教的復合場終止技術，實現了軟關斷。

比亞迪半導體IGBT5.0芯片

同時，公司正在積極布局新一代 IGBT 技術，致力于進一步提高 IGBT 芯片的電流密度，提升功率半導體的可靠性，降低產品成本，提高應用系統的整體功率密度。

未來，比亞迪半導體IGBT芯片將在核心技術、制造工藝及結構設計等方面不斷尋求創新突破。

關于下一代功率器件的核心Sic，他表示，比亞迪半導體SiC車用功率模塊，具有Pin-fin直接水冷結構，結構十分緊湊，僅一個手掌大小，輸出功率250KW，優良的性能使其在新能源汽車電機驅動上帶來明顯的效率提升，并使電機驅動控制器體積減小60%以上。

比亞迪半導體SiC功率模塊

“后期，比亞迪半導體將往超小型雙面燒結SiC發展，其具有應用靈活、散熱效率高等優勢。目前有關產品在研中，預期實現產品革新的又一跨越。”孫允帥表示。