據techpowerup報道稱，臺積電正在開發3nm的工藝制程，包括了N3、N3B和N3E多個節點。

據了解，臺積電原計劃在2022下半年量產N3節點，N3E量產計劃為2023年下半年。

但由于作為3nm簡化版的N3E節點，量產率較高，臺積電希望早日實現商業化，可能提前到2023年上半年。

N3E的工藝流程也已經提前準備好了，在這個月底就會確定下來。

據悉，N3E在N3基礎上減少了EUV光罩層數，從25層減少到21層，邏輯密度低了8%，不過仍比5nm的N5制程節點要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和產量。

相比之下，據說N3的邏輯密度比N5高70%。

還有N3B，據說是針對某些客戶的 N3 的改進版本，不過我們目前對N3B節點知之甚少。

無論N3E還是N3B，都不是用于取代N3，只是讓客戶有更多的選擇，在不同產品上有更好的性能和功耗表現。