一直以來，三星的旗艦產(chǎn)品在配置方面幾乎都是頂級的，唯獨在運存方面，今年三星的S系列和Note系列都只有4GB的運存，或許在明年運存將不再是三星手機的槽點，因為近日有消息稱三星Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片。
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之所以會有這樣的消息放出，還是因為三星在今年10月份發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。因此三星的Galaxy S8會使用上8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，在技術(shù)上已經(jīng)沒有什么阻礙，畢竟都是自家的東西。
此外，還有消息稱三星Galaxy S8將會推出兩個版本，而且都將采用雙曲面屏，而屏幕尺寸分別調(diào)整至5.7英寸和6.2英寸，并且三星S8還將采用無邊框設(shè)計，移除底部的Home按鈕來提升屏占比。而處理器方面，考慮到高通下一代旗艦高通驍龍835是與三星合作研發(fā)，所以三星下一代旗艦機型Galaxy S8將首發(fā)驍龍835基本沒有懸念了，并且三星還會將3.5mm耳機接口改為Type-C接口。