1月31日上午消息，固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC）發(fā)布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用閃存存儲) v3.0標準（JESD220D、JESD223D），和UFS存儲卡v1.1標準（JESD220-2A）。

簡單來說，UFS 3.0引入了HS-G4規(guī)范，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。

由于UFS的最大優(yōu)勢就是雙通道雙向讀寫，所以接口帶寬最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。

互聯(lián)層設(shè)計方面，嚴格遵守MIPI（移動產(chǎn)業(yè)處理器接口）的規(guī)范協(xié)議，其中物理層依據(jù)MIPI M-PHY v4.1，傳輸層依據(jù)MIPI UniProSM v1.8。

其它方面，UFS 3.0支持的分區(qū)增多（UFS 2.1是8個），糾錯性能提升，電壓2.5V，支持最新的NAND Flash閃存介質(zhì)。面向工業(yè)領(lǐng)域如汽車自動駕駛，工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度。

至于UFSHCI v3.0規(guī)范則面向主控廠商參考，用于簡化通行設(shè)計。

至于UFS存儲卡v1.1，則實現(xiàn)了對HS-Gear1/2/3的全部兼容，這樣存儲速度就達到最高1.5GB/s。

另外，三星已經(jīng)宣布，將在2018年第一季首發(fā)推出UFS 3.0接口的產(chǎn)品。由于驍龍845、Exynos 9810等尚無證據(jù)支持UFS 3.0接口，所以是否對應(yīng)Galaxy S9終端或者僅僅是主控、閃存這類零部件，暫不得而知。