眾所周知，目前國內(nèi)在芯片制造領(lǐng)域仍處于落后地位。雖然中芯國際等少數(shù)晶圓代工廠已經(jīng)能夠量產(chǎn)28/14nm工藝，但是其制造產(chǎn)線上的半導(dǎo)體設(shè)備仍嚴(yán)重依賴于美國。

去年5月，華為在被美國升級制裁之后，臺積電、中芯國際等晶圓代工廠無法繼續(xù)利用美國半導(dǎo)體設(shè)備及技術(shù)為華為海思代工芯片，使得華為自研的海思芯片出現(xiàn)了斷供。

與此同時，中芯國際在去年年底也被美國列入了實(shí)體清單，所需的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口受阻，這也嚴(yán)重阻礙了其先進(jìn)制程工藝的發(fā)展。

在此背景之下，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展急需加速。

對于半導(dǎo)體制造產(chǎn)線來說，光刻機(jī)是芯片制造最為核心的關(guān)鍵設(shè)備之一。而目前在光刻機(jī)領(lǐng)域，主要被荷蘭ASML、日本佳能和尼康所壟斷，三家廠商合計占據(jù)了約99%的市場份額。

其中 ASML 在高端光刻機(jī)市場一家獨(dú)大，并且是目前唯一一家能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī)的廠商。

目前產(chǎn)線中光刻機(jī)主要依賴于進(jìn)口，以國內(nèi)長江存儲截至2020年2月的半導(dǎo)體設(shè)備采購招標(biāo)結(jié)果為例，其光刻機(jī)全部來自于ASML 和佳能。其中 Arf 光刻機(jī)全部由 ASML供應(yīng)，佳能主要供應(yīng)技術(shù)難度相對較低的 g線、i 線光刻機(jī)及少部分KrF光刻機(jī)。

雖然，國產(chǎn)光刻機(jī)廠商——上海微電子裝備股份有限公司（以下簡稱“上海微電子”，SMEE）此前已經(jīng)量產(chǎn)了自主研發(fā)的光刻機(jī)，但是其在技術(shù)上與國外還存在較大差距。

根據(jù)上海微電子官網(wǎng)資料顯示，目前其已量產(chǎn)的光刻機(jī)主要有 SSX600 和 SSX500 兩個系列。

其中，SSX600 系列步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)采用四倍縮小倍率的投影物鏡、工藝自適應(yīng)調(diào)焦調(diào)平技術(shù)，以及高速高精的自減振六自由度工件臺掩模臺技術(shù)，可滿足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層的光刻工藝需求，該設(shè)備可用于 8吋線或 12 吋線的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

SSB500 系列步進(jìn)投影光刻機(jī)不僅適用于晶圓級封裝的重新布線（RDL）以及 Flip Chip 工藝中常用的金凸塊、焊料凸塊、銅柱等先進(jìn)封裝光刻工藝，還可以通過選配背面對準(zhǔn)模塊，滿足 MEMS 和 2.5D/3D 封裝的 TSV 光刻工藝需求。

△上海微電子可用于90nm芯片制造的光刻機(jī)

也就是說，上海微電子目前最先進(jìn)的光刻機(jī)所能制造最先進(jìn)的芯片制程只能到90nm，而目前ASML最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)已可以被應(yīng)用于3nm的芯片制造。

在去年4月，根據(jù)某地方政府透露的信息顯示，2020年年底，國產(chǎn)光刻機(jī)光源供應(yīng)商將與整機(jī)單位共同完成28nm國產(chǎn)光刻機(jī)的集成工作。

注意：這里說的“28nm光刻機(jī)”并不是準(zhǔn)確說法，雖然網(wǎng)上很多人這么叫，其實(shí)際指的是可以被用于28nm芯片制造的光刻機(jī)，但準(zhǔn)確說法應(yīng)該是193nm ArF浸潤式光刻機(jī)，多次曝光甚至可以支持7nm芯片制造。

但是，由于美國對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制裁的加碼，國產(chǎn)28nm光刻機(jī)量產(chǎn)進(jìn)程似乎是遇到了一些阻力導(dǎo)致了推遲。

根據(jù)國外媒體（https://www.verdict.co.uk/）最新的報道稱，“中國國產(chǎn)28nm DUV光刻機(jī)計劃在今年年底前從上海微電子（SMEE）生產(chǎn)出來，并在上海專有的生產(chǎn)線上為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造48nm和28nm芯片。”

另外預(yù)計在2023年，SMEE 20nm光刻技術(shù)將首先部署用于制造5G設(shè)備芯片。

該報道還稱，上海微電子管理層最近表示，“提高 48nm 和 28nm 的良率仍然是一個挑戰(zhàn)，但 SMEE 技術(shù)現(xiàn)在擁有基本的本土 UV 能力，無需美國 IP 來制造芯片。”

搜索該網(wǎng)站關(guān)于SMEE的歷史信息，可以看到，早在去年10月，verdict就曾報道稱，“中國首臺國產(chǎn)28nm光刻機(jī)預(yù)計2021年底前交付”，但是verdict并未說明具體的信息來源。

此前的資料顯示，該光刻機(jī)的光源激光系統(tǒng)、浸沒式雙工作臺、浸液系統(tǒng)、透鏡及曝光系統(tǒng)都已實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化（由不國內(nèi)相關(guān)供應(yīng)商提供），上海微電子則負(fù)責(zé)控制系統(tǒng)和總裝。

不過對于“上海微電子到底能不能做出28nm能力的DUV光刻機(jī)”這個問題，外界看法不一。

此前知乎上就有人提了這個問題，有不少網(wǎng)友給出了不同意見。

知乎網(wǎng)友@andyfan 表示：“上海微電子做肯定做的出，之前交付了可以做90nm制程的光刻機(jī)，只是單工臺，過貨能力只有每小時75片。28nm光刻機(jī)，光源與90nm光刻機(jī)是一樣的，但是40nm開始就需要immersion了，也就是液浸潤。但不是說你搞一臺出來，廠家就能馬上用；機(jī)臺和工藝的磨合，再加上反復(fù)提升改進(jìn)，這時間要比一般人想的長的多。”

不過WP7貼吧用戶@jinshandage 表示，之前有內(nèi)部前員工爆料，由于內(nèi)部管理問題，上微老的骨干基本走光。新來的研發(fā)人員工資極低，很多在那邊也混2年經(jīng)驗(yàn)就走。10年研發(fā)費(fèi)用不足6億，基本沒有老員工。本身就一個國資企業(yè)，那些廠買他家的低端光刻機(jī)就是指標(biāo)，都不用的。他們家的28nm光刻機(jī)今年交付的消息看看就好，當(dāng)不了真。估計今明兩年28nm的都出不來光刻機(jī)突破的話，還是要看中科院以及一些其他科研機(jī)構(gòu)，其次看這些科研企業(yè)，但是上海微電子本身是沒啥指望了。

一位自稱在十幾年前讀博士時就有做02專項(xiàng)的網(wǎng)友稱：“28nm跟90nm光刻設(shè)備之間的區(qū)別很多，四大子系統(tǒng)都不一樣。光源功率變大，光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑變大，增加浸沒單元，運(yùn)動平臺速度更快。目前運(yùn)動平臺做得比較好，其他的最多到樣機(jī)狀態(tài)，整機(jī)更沒有了，差得還挺遠(yuǎn)。十幾年前我做02專項(xiàng)，那個時候投入是不足的。到如今，只能說資金投入早已經(jīng)跟上，現(xiàn)在無論上海微電子還是各子系統(tǒng)企業(yè)都不缺錢，甚至已經(jīng)不敢再拿錢了。很多專項(xiàng)投入資金，根本就沒有動過。設(shè)備研發(fā)迭代跟FAB廠做工藝試錯還是有區(qū)別的。一個人拍兩個月腦袋就可以搞五六代樣機(jī)去試錯，但其實(shí)連積累數(shù)據(jù)的意義都沒有。有些關(guān)鍵點(diǎn)搞不清楚，試錯就是浪費(fèi)時間。”

另外值得注意的是，自去年華為被美國實(shí)施第二輪制裁，使得華為自研芯片無法制造之后，業(yè)內(nèi)就一直有傳聞稱華為在自建半導(dǎo)體產(chǎn)線，并已開始研發(fā)半導(dǎo)體產(chǎn)線所必須的關(guān)鍵設(shè)備——光刻機(jī)。

此前曝光的招聘信息也顯示，華為正在招募光刻機(jī)研發(fā)人才。本月初，華為旗下的哈勃投資入股了國內(nèi)高端準(zhǔn)分子激光技術(shù)廠商科益虹源，似乎也正是為了加碼布局光刻機(jī)領(lǐng)域的研發(fā)。