高通官方宣布，將使用三星的10nm FinFET打造自家的新旗艦處理器：驍龍835。
高通表示，與上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，同時實現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。
因此，通過10nm工藝加持，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，在一定程度上能夠方便手機廠商節(jié)省機身內(nèi)部空間，獲得更合理的主板布局方式。
目前，驍龍835已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計搭載驍龍835的商用終端將于2017年上半年出貨。
此外，高通宣布驍龍820/21處理器已經(jīng)擁有超過200款設(shè)計發(fā)布或正在開發(fā)中，驍龍835正是其后續(xù)產(chǎn)品。
但遺憾的是，高通目前并沒有公布驍龍835的具體規(guī)格。