現(xiàn)在的DDR內(nèi)存及GDDR顯存性能雖然已經(jīng)很不錯(cuò)，但AMD 2015年在Fury系列顯卡上首次量產(chǎn)的HBM內(nèi)存技術(shù)則是一次突破，TB級(jí)帶寬、功耗、面積等方面無(wú)一不是跨越式提升。

HBM已經(jīng)成為高性能計(jì)算中的頂層標(biāo)準(zhǔn)，只有那些不計(jì)成本的產(chǎn)品才會(huì)用上HBM顯存，標(biāo)準(zhǔn)也發(fā)展到了HBM2e，2019年公布的，IO傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位寬的話可以提供超過(guò)460GB/s的超高帶寬。

然而問(wèn)題也來(lái)了，那就是HBM3標(biāo)準(zhǔn)一直跳票，從五年前的2016年SK海力士、美光、三星等公司就討論過(guò)HBM3標(biāo)準(zhǔn)，可惜一直沒(méi)有定下標(biāo)準(zhǔn)，原定的2020年早就不可能了，這可能是最難產(chǎn)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)了。

理論上HBM3的性能要比HBM2再翻一倍，可能是太難實(shí)現(xiàn)了，現(xiàn)在來(lái)看2022年甚至2023-2024年才有希望問(wèn)世。

在HBM3量產(chǎn)之前，SK海力士最近公布了一個(gè)過(guò)渡性的標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計(jì)IO頻率提升到5.2Gbps以上，帶寬則提升到665GB/s，比HBM2e提升大約44%。

SK海力士的初版HBM3還沒(méi)有問(wèn)世時(shí)間。