在半導體工藝延伸到7nm之后，光刻機越來越重要，EUV光刻機現在只有荷蘭ASML能生產。不過光有EUV設備也是不行的，美國半導體設備公司應用材料日前展示了一款全新的設備，能將7種工藝整合在一起，可用于3nm工藝。

美國應用材料公司是全球第一大半導體設備公司（ASML今年有望超越他們），雖然不做光刻機，但他們的PVD、CVD沉積設備等也是半導體制造中不可少的，也是限制臺積電、三星、Intel等公司提升工藝的關鍵。

他們現在研發的設備名為Endura Copper Barrier Seed IMS，是用于邏輯芯片布線的，隨著晶體管的縮小，芯片布線也是個難題，而且導線越小電阻越大，從7nm微縮到3nm的話，電阻就會增加10倍，這會帶來更高的功耗，讓工藝微縮失去意義。

現在這套設備可以在真空環境下，將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量等七種工藝處理集成到一個系統中完成，不僅簡化了操作，同時還降低了50%的電阻，芯片的性能及能效更高。

有了這個設備，三星、臺積電及Intel從7nm延伸到3nm也有了可能，因為邏輯布線占的功耗已經達到了芯片功耗的1/3。