在10nm節(jié)點(diǎn)Intel的進(jìn)度比預(yù)期晚了多年，很大一個(gè)原因跟EUV光刻機(jī)有關(guān)，Intel之前一直認(rèn)為EUV技術(shù)不成熟，所以他們在10nm節(jié)點(diǎn)使用了四重曝光工藝，量產(chǎn)難度大，導(dǎo)致10nm工藝延期。

現(xiàn)在Intel的態(tài)度變了，對EUV光刻工藝開始重視起來了，畢竟三星、臺積電的EUV工藝都量產(chǎn)幾年了，Intel也將在7nm節(jié)點(diǎn)全面使用EUV光刻工藝，只不過該工藝也跳票了，預(yù)計(jì)2023年才能量產(chǎn)。

在日前參加摩根大通的會(huì)議時(shí)，CEO基辛格表示，Intel將全面擁抱EUV光刻工藝，大家能夠看到Intel對EUV工藝進(jìn)行多代重大改進(jìn)，大家能看到晶體管級別的重大改進(jìn)。

從Intel的表態(tài)來看，他們對EUV工藝很有信心，不同廠商手中EUV工藝的發(fā)揮情況也不同，Intel這番表態(tài)暗示他們會(huì)對EUV工藝做出重大改進(jìn)，甚至能深入到晶體管級別的升級改良。